Memória Notebook Kingston 8GB DDR4 2666 Mhz 1.2V - KVR26S19S8/8

Memória Notebook Kingston 8GB DDR4 2666 Mhz 1.2V KVR26S19S8/8 Alcançando mais de 2Gbps por pin e consumindo menos energia do que DDR3L (que é de baixa potência), a DDR4 oferece até 50% de aumento de desempenho e capacidade de largura de banda, diminuindo a tensão e a eficiência de energia de todo o ambiente de computação. Isso representa uma melhoria significativa em relação às tecnologias de memória anteriores e uma economia de energia de até 40%. Além do desempenho otimizado e da computação mais ecológica e de baixo custo, o DDR4 também oferece verificações de redundância cíclica (CRC) para confiabilidade de dados aprimorada, detecção de paridade no chip para verificação de integridade de 'comando e endereço' transferidos por um link, integridade de sinal aprimorada e outros recursos robustos do RAS. - Fonte de alimentação: VDD = 1.2V típico - VDDQ = 1.2V típico - VPP = 2.5V típico - VDDSPD = 2.2V a 3.6V - Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, estroboscópio e máscara - Atualização automática de baixa potência (LPASR) - Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados - Geração e calibração VREFDQ na matriz - Classificação única - EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 integrada - 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada - Corte de rajada fixo (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registros de modo (MRS) - BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF) - Topologia de passagem - Comando de controle terminado e barramento de endereço - PCB: Altura 1,18 pol. (30,00 mm) - Compatível com RoHS e sem halogênio Características Memória RAM Notebook Kingston 8GB DDR4 2666 Mhz 1.2V - Marca: Kingston - Modelo: KVR26S19S8/8 Especificações Memória DDR4 Notebook Kingston 8GB 2666 Mhz 1.2V - Memória para: Notebook - Tipo: DDR4 - Capacidade: 8GB - velocidade: 2666 MHz - CL (IDD): 19 ciclos - Tempo do ciclo da linha (tRCmin): 45.75ns(min) - Atualizar para Ativo / Atualizar | Hora do comando (tRFCmin): 350ns(min) - Tempo ativo da linha (tRASmin): 32ns(min) - Potência operacional máxima: TBD W - Classificação UL: 94V - 0 - Temperatura de operação: 0°C + 85°C - Temperatura de armazenamento: -55°C + 100°C